Экстремальные ультрафиолетовые (EUV) фотомаски используются для переноса шаблона цепей на пластины с новыми системами литографии с использованием высокоэнергетических коротковолновых источников света. Длина волны источника света EUV примерно в 15 раз короче, чем у применяемого для современной ультрафиолетовой литографии, что делает возможным дальнейшую пропорциональную миниатюризацию размеров элементов.

Экстремальные ультрафиолетовые (EUV) фотомаски принципиально отличаются от обычных фотомасок, которые выборочно передают свет длины волны 193 нм для проектирования шаблона цепей на пластине. При длине волны 13,5 нм, используемой для экстремальной ультрафиолетовой литографии, весь материал фотомаски является непрозрачным, поэтому маска содержит сложные многослойные зеркала для отражения шаблона цепей на пластину. Эти многослойные экстремальные ультрафиолетовые маски решают проблемы травления, такие, как критические размеры (CD), профили, размытие края изображения, селективности и контроля дефективности при сохранении отражательной способности маски.

Установка CenturaTetra EUV продолжает многолетнее лидерство в области травления через маску компании Applied благодаря своей конструкции, специально созданной для травления новых материалов и сложных многоуровневых пленок, используемых в экстремальных ультрафиолетовых (EUV) фотомасках с соблюдением строгой точности рисунка, обработки поверхности и характеристик дефектности, необходимых для достижения высоких результатов литографии при работе с использованием данного отраженного режима. Конструкция камеры и подача энергии дополняют специализированную химическую технологию и технологию травления, обеспечивая практически безотказное травление с лучшим в своем классе критическим допуском на размер элементов и контролем дефективности.

Установка Tetra EUV является частью обширного портфеля решений компании AppliedMaterials для литографии.